Neue Halbleitertechnologien (passive Integration, SiGe, RF CMOS, InP, GaN usw.), neue Technologien passiver Bauelemente (SAW, FBAR, MEMS usw.) und neue Aufbau- und Verbindungstechniken (LTCC, Kupfermetallisierung, Flip-Chip, BGA usw.) werden derzeit in Richtung kostengünstige Fertigung getrieben und erhöhen zunehmend den Grad der Integration bei den Hochfrequenz-Frontends. Die Themen System-on-Chip (SoC), System-in-Package (SiP) und Electronic Packaging, die zugehörige Modellierung, Simulation und effiziente messtechnische Hochvolumen-Charakterisierung sowie Aspekte der Elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) gewinnen daher zunehmend an Bedeutung. |